| 制造商编号 | BSC009NE2LS |
|---|---|
| 商品别名 | BSC009NE2LSATMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 吃瓜编号 | A-BSC009NE2LS |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
25V 100A 1mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 25V | |
| 连续漏极电流Id | 100A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Qg-栅极电荷 | 168nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 96W | |
| 高度 | 1.27mm | |
| 长度 | 5.9mm | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 85S | |
| 下降时间 | 19ns | |
| 上升时间 | 33ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 48ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于吃瓜提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
30W
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| 起订量： 5,000 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC009NE2LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
25V 100A 1mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIRA60DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 100A(Tc) +20V,-16V 57W(Tc) 0.94mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIRA60DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 100A(Tc) +20V,-16V 57W(Tc) 0.94mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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