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功率MOSFET   ±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V

图像仅供参考 请参阅产品规格
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制造商编号 SIHG22N60E-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
吃瓜编号 A-SIHG22N60E-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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参数信息 商品简介 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 SI
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V
Pd-功率耗散(Max) 227W(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-247-3
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 21A
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ
漏源极电压Vds 4V
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商品简介

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻(RDS(接通))
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快速切换
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MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻(RDS(接通))
超低栅极电荷 (Qg)
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