| 制造商编号 | TK16G60W |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 吃瓜编号 | A3t-TK16G60W |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Toshiba N沟道 MOSFET TK16G60W, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 15.8 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 3.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V | |
| 栅极电压Vgs | ±30 V | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 130W | |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 漏源极电压Vds | 1350 pF @ 300 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 宽度 | 10.27mm | |
| 长度 | 10.35mm | |
| 高度 | 4.46mm | |
| 正向二极管电压 | 1.7V | |
| 封装/外壳 | 10.35*10.27*4.46mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
制造商那里获得的最小包装数。由于吃瓜提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
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采用绕线工艺与磁屏蔽结构，具有良好的共模噪声抑制能力
高耐压、高电流承载能力与优异的抗浪涌性能，专为交流开关控制场景设计，
高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GD32E225KBU6 | 1,966 |
| M39029/32-259 | 1,234 |
| ESD2CANFD24T2Q-F2-0000HF | 429 |
| PS2561DL-1Y-A | 413 |
| D25S24A4GV00LF | 398 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TK16G60W | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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