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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV

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制造商编号 SI2336DS-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
吃瓜编号 A3t-SI2336DS-T1-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
连续漏极电流Id 5.2A
Pd-功率耗散(Max) 1.8W
Qg-栅极电荷 10nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 400mV
上升时间 10ns
下降时间 10ns
典型关闭延迟时间 20ns
典型接通延迟时间 6ns
宽度 1.60mm
正向跨导 - 最小值 30S
系列 SI2
通道数量 1Channel
配置 Single
长度 2.9mm
高度 1.45mm
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