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AOTF8N65  与  IPA80R900P7  区别

型号 AOTF8N65 IPA80R900P7
吃瓜编号 A-AOTF8N65 A-IPA80R900P7
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 9 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1150mΩ@10V 900mΩ@2.2A,10V
ESD Diode No -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 350pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 15nC @ 10V
Qgd(nC) 9.5 -
栅极电压Vgs 30V ±20V
Td(on)(ns) 26 -
封装/外壳 TO-220F PG-TO220-3
连续漏极电流Id 8A 6A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1165 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 110µA
Trr(ns) 295 -
Td(off)(ns) 65 -
漏源极电压Vds 650V 800V
Pd-功率耗散(Max) 50W 26W(Tc)
Qrr(nC) 5000 -
VGS(th) 5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - CoolMOS™ P7
Coss(pF) 101 -
Qg*(nC) 23.5* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF8N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 650V 30V 8A 50W 1150mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
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IPA80R900P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3

暂无价格 0 对比

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