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BSC016N06NS  与  SIR626DP-T1-RE3  区别

型号 BSC016N06NS SIR626DP-T1-RE3
吃瓜编号 A-BSC016N06NS A-SIR626DP-T1-RE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.15mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ 1.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 139W 104W(Tc)
Qg-栅极电荷 71nC -
栅极电压Vgs 10V ±20V
正向跨导 - 最小值 70S -
典型关闭延迟时间 35ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - PowerPAK®SO-8
连续漏极电流Id 100A 100A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
系列 OptiMOS™ TrenchFET® Gen IV
长度 5.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 9ns -
典型接通延迟时间 19ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5130pF @ 30V
高度 1.27mm -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 78nC @ 7.5V
库存与单价
库存 5,000 73
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥4.4044
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC016N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 100A 1.6mΩ 10V 139W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 5,000 当前型号
SIR626DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 100A(Tc) ±20V 104W(Tc) 1.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8

¥4.4044 

阶梯数 价格
3,000: ¥4.4044
73 对比
SIR662DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ

暂无价格 55 对比
SIR662DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ

暂无价格 0 对比
SIR626DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 100A(Tc) ±20V 104W(Tc) 1.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8

暂无价格 0 对比

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