BSC040N10NS5 与 SIR668DP-T1-RE3 区别
| 型号 | BSC040N10NS5 | SIR668DP-T1-RE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-BSC040N10NS5 | A3t-SIR668DP-T1-RE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4mΩ@50A,10V | 4.8 mOhms @ 20A,10V |
| 上升时间 | 9ns | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 开发套件 | EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 139W | 104W(Tc) |
| Qg-栅极电荷 | 58nC | - |
| Vgs(th) | - | 3.4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 60S | - |
| 典型关闭延迟时间 | 32ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A | 95A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource | - |
| 系列 | OptiMOS™ | - |
| 长度 | 5.9mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 下降时间 | 10ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 13ns | - |
| 高度 | 1.27mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC040N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TDSON-8 100V 100A 4mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 |
|
SIR668DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
95A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
