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BSH103,235  与  SI2304DDS-T1-GE3  区别

型号 BSH103,235 SI2304DDS-T1-GE3
吃瓜编号 A-BSH103,235 A3t-SI2304DDS-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
零件号别名 - SI2304DDS-GE3
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 6.7nC
栅极电压Vgs 8V 1.2V
正向跨导 - 最小值 - 11S
封装/外壳 SOT23 SOT-23-3
工作温度 150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.6A
配置 - Single
输入电容 83pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.5W 1.7W
输出电容 27pF -
典型关闭延迟时间 - 10ns
FET类型 N-Channel -
系列 - SI2
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.7nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH103,235 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

暂无价格 0 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 57,000 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

暂无价格 3,270 对比
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SI2304DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

暂无价格 0 对比

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