FCD3400N80Z 与 R6002ENDTL 区别
| 型号 | FCD3400N80Z | R6002ENDTL |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-FCD3400N80Z | A33-R6002ENDTL |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 65pF @ 25V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-252AA | CPT3 |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 3.4 欧姆 @ 500mA,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.7A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 6.5nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 46 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCD3400N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD4NK80ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 122,500 | 对比 |
|
R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 46 | 对比 |
|
|
STD4NK80ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD3N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 2.5A 56.8W 3500mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
