FDC5614P 与 SI3459BDV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC5614P | SI3459BDV-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-FDC5614P-3 | A-SI3459BDV-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.65 mm | ||
| 零件号别名 | - | SI3459BDV-GE3 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 216mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | - | 3V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta),3.3W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOP-6 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 2.2A | ||
| 系列 | - | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 长度 | - | 3.05 mm | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 高度 | - | 1.1 mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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FDFS2P106A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||
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FDFS2P106A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
￥1.56
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0 | 对比 | ||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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