FDMC510P 与 SI7615ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMC510P | SI7615ADN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-FDMC510P | A3t-SI7615ADN-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8m Ohms@12A,4.5V | 4.4mΩ |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),41W(Tc) | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-MLP(3.3x3.3) | PowerPak1212-8 |
| 连续漏极电流Id | 12A | 35A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7860pF @ 10V | 5590pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 116nC @ 4.5V | 183nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 2.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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AON7407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 20V 35A 4.4mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 20V 35A 4.4mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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