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FDMS2572  与  SI7738DP-T1-GE3  区别

型号 FDMS2572 SI7738DP-T1-GE3
吃瓜编号 A-FDMS2572 A-SI7738DP-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 150 V 4.5A(Ta),27A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-MLP(5x6),Power56
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 38mΩ
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 5.4W(Ta),96W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 Power-56-8 SOIC-8
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.7A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS2572 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

Power-56-8

暂无价格 0 当前型号
BSC520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V

暂无价格 0 对比
SI7738DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5.4W(Ta),96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 7.7A 38mΩ

暂无价格 0 对比

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