FDN5618P 与 SI2309CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN5618P | SI2309CDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-FDN5618P | A3t-SI2309CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.6 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@-1A,-4.5V | 345mΩ |
| 零件号别名 | - | SI2309CDS-GE3 |
| 漏源极电压Vds | -60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.5W | 1W(Ta),1.7W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -1.25A | 1.2A |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 长度 | - | 2.9 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 210pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.1nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 高度 | - | 1.45 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN5618P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel 0.5W 230mΩ@-1A,-4.5V -55°C~150°C ±20V -60V -1.25A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
￥1.1582
|
100 | 对比 | ||||
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DF1501S-E3/45 | Vishay | 数据手册 | 整流桥 |
4-SMD,鸥翼 -55°C~150°C(TJ) 1.1V @ 1.5A 1.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
