GSOT12C-HE3-08 与 MMBZ15VALT116 区别
| 型号 | GSOT12C-HE3-08 | MMBZ15VALT116 | ||
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| 吃瓜编号 | A-GSOT12C-HE3-08 | A3-MMBZ15VALT116 | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | TVS/ESD电路保护二极管 | TVS/ESD电路保护二极管 | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 反向击穿电压Vbr-max | 15V | - | ||
| 峰值脉冲电流Ipp | - | 1.9A | ||
| 反向电压Vr | 12V | - | ||
| 反向击穿电压Vbr | - | 14.25V | ||
| 不同Ipp时电压-箝位(最大值) | - | 21V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| 功率-峰值脉冲 | - | 40W | ||
| 不同频率时电容 | - | 75pF @ 1MHz | ||
| FET类型 | 齐纳 | - | ||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | - | ||
| 钳位电压Vc | 2.2 V | 21V | ||
| 反向工作电压Vrwm | 12V | 12V | ||
| 正向浪涌电流Ifsm | 12A(8/20µs) | - | ||
| 通道数 | 2 | - | ||
| 最大峰值脉冲功率Ppp | 400W | - | ||
| 类型 | - | 齐纳 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 59 | 2,950 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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GSOT12C-HE3-08 | Vishay | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
-55°C~150°C(TJ) 12V 2.2 V 车规 |
￥0.5201
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59 | 当前型号 | ||||||||||
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MMBZ15VALT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
SOT-23-3 14.25V 12V 1.9A 21V |
暂无价格 | 2,950 | 对比 | ||||||||||
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MMBZ15VALT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
SOT-23-3 14.25V 12V 1.9A 21V |
￥1.0143
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1,986 | 对比 | ||||||||||
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GSOT12C-E3-08 | Vishay | 数据手册 | ESD抑制器 |
-55°C~150°C(TJ) 12 V 15.4 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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GSOT12C-E3-08 | Vishay | 数据手册 | ESD抑制器 |
-55°C~150°C(TJ) 12 V 15.4 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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MMBZ15VALT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
SOT-23-3 14.25V 12V 1.9A 21V |
￥0.2537
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0 | 对比 |
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