IPD65R650CE 与 SIHD6N65E-GE3 区别
| 型号 | IPD65R650CE | SIHD6N65E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IPD65R650CE | A-SIHD6N65E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 650mΩ | 600mΩ |
| Moisture Level | 3 | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | 4V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 78W(Tc) |
| Rth | 2.0K/W | - |
| RthJA max | 62.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins | - |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | TO-252 |
| Mounting | SMT | - |
| 连续漏极电流Id | 7A | 7A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ptot max | 63.0W | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 820pF @ 100V |
| QG | 23.0nC | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Budgetary Price €/1k | 0.45 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 15 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD65R650CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650mΩ 650V 7A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHD6N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 7A 600mΩ 4V |
暂无价格 | 15 | 对比 |
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SIHD6N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 7A 600mΩ 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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