IPW65R190CFD 与 SIHG24N65E-GE3 区别
| 型号 | IPW65R190CFD | SIHG24N65E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IPW65R190CFD | A3t-SIHG24N65E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.21mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ | 145 mOhms @ 12A,10V |
| 上升时间 | 8.4ns | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 151W | 250W |
| Qg-栅极电荷 | 68nC | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | 30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 17.5A | 24A(Tc) |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 系列 | CoolMOSCFD2 | - |
| 长度 | 16.13mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 6.4ns | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1850pF @ 100V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 730µA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - |
| 高度 | 21.1mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 240 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R190CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel |
暂无价格 | 240 | 当前型号 |
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-247-3 -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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