IRF5210STRRPBF 与 SUM50P10-42-E3 区别
| 型号 | IRF5210STRRPBF | SUM50P10-42-E3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRF5210STRRPBF | A3t-SUM50P10-42-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V | 4.2 mOhms @ 14A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),170W(Tc) | 18.8W(Ta),125W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | P-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263AB |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 38A | 36A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2780pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2780pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SUM50P10-42-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
36A(Tc) N-Channel 4.2 mOhms @ 14A,10V 18.8W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
