IRF5803TRPBF 与 SI3127DV-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF5803TRPBF | SI3127DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRF5803TRPBF | A3t-SI3127DV-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 40 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 112mΩ@3.4A,10V | 89mΩ@1.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 2W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | Micro6™(TSOP-6) | TSOT-23-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.4A | 13A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 112mΩ@3.4A,10V P-Channel 40V 3.4A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
|
|
SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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