| 型号 | IRF630PBF | IRF630 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRF630PBF | A3-IRF630 |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB) | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 74W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 9A | - |
| 系列 | IRF | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 62,650 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF630PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
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IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 62,650 | 对比 |
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IRF630NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF630NPBF | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |