IRF7240PBF 与 SI4401DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7240PBF | SI4401DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRF7240PBF | A3-SI4401DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@10.5A,10V | 15mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.2V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 37S |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | 16.1A |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 6.3W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | SI4 |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF @ 25V | 3007pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | 95nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 75,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7240PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@10.5A,10V P-Channel 40V 10.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 75,000 | 对比 |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 24 | 对比 |
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