IRF7241TRPBF 与 SI4447ADY-T1-GE3 区别
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规格信息
型号	IRF7241TRPBF	SI4447ADY-T1-GE3
吃瓜编号	A-IRF7241TRPBF	A-SI4447ADY-T1-GE3
制造商	Infineon Technologies	Vishay
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8	P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
数据表	IRF7241TRPBF.pdf	SI4447ADY-T1-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	41mΩ@6.2A,10V	45mΩ
漏源极电压Vds	40V	-
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta),4.2W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	8-SO	SOIC-8
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	6.2A	7.2A
系列	HEXFET®	TrenchFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3220pF @ 25V	970pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	80nC @ 10V	38nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3220pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	80nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF7241TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO	暂无价格	当前型号
AO4443	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C	暂无价格	对比
SI4447ADY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.2A 45mΩ	暂无价格	对比
SI4447ADY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.2A 45mΩ	暂无价格	对比
SI4447ADY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.2A 45mΩ	暂无价格	对比
RS1G201ATTB1	ROHM Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP	暂无价格	对比