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IRF7424PBF  与  VO223AT  区别

型号 IRF7424PBF VO223AT
吃瓜编号 A-IRF7424PBF A3t-VO223AT
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 晶体管输出光耦
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流传输比(最小值) - 500% @ 1mA
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@11A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
输入类型 - DC
接通/关断时间(典型值) - 3us,3us
电压-隔离 - 4000Vrms
电流-输出/通道 - 50mA
电压-输出(最大值) - 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
输出类型 - 有基极的达林顿晶体管
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~100°C
连续漏极电流Id 11A -
Vce饱和压降(最大) - 1V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
通道数 - 1
电压-正向(Vf)(典型值) - 1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
电流-DC正向(If)(最大值) - 60mA
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7424PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

13.5mΩ@11A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SI4825DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ

暂无价格 10 对比
SI4483ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel

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