IRF9393TRPBF 与 SI4435DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF9393TRPBF | SI4435DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRF9393TRPBF | A-SI4435DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32.5mΩ | 24mΩ |
| 引脚数目 | 8 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.2A | 8.1A |
| 长度 | 5mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V,20V | 4.5V,10V |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 正向二极管电压 | 1.2V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 25V | - |
| 高度 | 1.50mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | - |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 2.5W(Ta),5W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 系列 | HEXFET | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | - |
| 正向跨导 | 13S | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 40 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.2A 32.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 20,000 | 对比 |
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|
SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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