IRF9540NSPBF 与 IRF9540PBF 区别
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规格信息
型号	IRF9540NSPBF	IRF9540PBF
吃瓜编号	A-IRF9540NSPBF	A3-IRF9540PBF
制造商	Infineon Technologies	Vishay
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	Single P-Channel 100 V 3.1 W 73 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3	Single P-Channel 100 V 0.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表	IRF9540NSPBF.pdf	IRF9540PBF.pdf IRF9540PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	117mΩ@14A,10V	200 mOhms @ 11A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W(Ta),110W(Tc)	150W
Vgs(th)	-	4V @ 250uA
栅极电压Vgs	±20V	-
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V	-
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	D2PAK	TO-220-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C
连续漏极电流Id	23A	19A(Tc)
系列	HEXFET®	-
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1450pF @ 25V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	110nC @ 10V	-
Vgs(最大值)	-	±20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1450pF	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	110nC	-
库存与单价
库存	0	10,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRF9540NSPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK	暂无价格	0	当前型号
IRF9540PBF	Vishay	数据手册	通用MOSFET	19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 150W TO-220-3 -55°C~175°C 100V	暂无价格	10,000	对比
IRF9540PBF	Vishay	数据手册	通用MOSFET	19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 150W TO-220-3 -55°C~175°C 100V	暂无价格	0	对比
IRF9540PBF	Vishay	数据手册	通用MOSFET	19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 150W TO-220-3 -55°C~175°C 100V	暂无价格	0	对比
SIHF9540S-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 150W TO-263AB -55°C~175°C 100V	暂无价格	0	对比