IRFB31N20DPBF 与 SUP90140E-GE3 区别
| 型号 | IRFB31N20DPBF | SUP90140E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRFB31N20DPBF | A-SUP90140E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 3.1 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 82mΩ@18A,10V | 17mΩ@30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),200W(Tc) | 375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 31A | 90A |
| 系列 | HEXFET® | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2370pF @ 25V | 4132pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 107nC @ 10V | 96nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2370pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 107nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB31N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.1W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 82mΩ@18A,10V N-Channel 200V 31A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SUP90140E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 90A(Tc) ±20V 375W(Tc) 17mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 200V 90A |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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SUP90140E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 90A(Tc) ±20V 375W(Tc) 17mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 200V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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