IRFRC20TRPBF 与 STD3NK60ZT4 区别
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规格信息
型号	IRFRC20TRPBF	STD3NK60ZT4
吃瓜编号	A-IRFRC20TRPBF	A-STD3NK60ZT4
制造商	Vishay	STMicroelectronics
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252)	N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
数据表	IRFRC20TRPBF.pdf	STD3NK60ZT4.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.4Ω@1.2A,10V	3.6Ω@1.2A,10V
漏源极电压Vds	600V	600V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),42W(Tc)	45W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±30V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	DPAK	DPAK
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	2A	2.4A
系列	-	SuperMESH™
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	350pF @ 25V	311pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	18nC @ 10V	11.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFRC20TRPBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 4.4Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A	暂无价格	0	当前型号
STD2HNK60Z	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A	暂无价格	42,500	对比
STD3NK60ZT4	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A	暂无价格	27,500	对比
STD3NK60ZT4	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A	暂无价格	0	对比
BSP299 H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	500V 400mA 3.1Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	0	对比
STD2LN60K3	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-252-3	暂无价格	0	对比