IRLML0040TRPBF 与 SI2318CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLML0040TRPBF | SI2318CDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRLML0040TRPBF | A-SI2318CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 40 V 78 mOhm 3.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | N-CHANNEL 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 56mΩ@3.6A,10V | 42mΩ@4.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | 1.25W(Ta),2.1W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 5.6A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 266pF @ 25V | 340pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC @ 4.5V | 9nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 266pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 35 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0040TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 56mΩ@3.6A,10V N-Channel 40V 3.6A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI2318CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta),2.1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 40V 5.6A 42mΩ@4.3A,10V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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SI2318CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta),2.1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 40V 5.6A 42mΩ@4.3A,10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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