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IRLML6244TRPBF  与  SI2374DS-T1-GE3  区别

型号 IRLML6244TRPBF SI2374DS-T1-GE3
吃瓜编号 A-IRLML6244TRPBF A3-SI2374DS-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Si2374DS Series 20 V 0.030 Ohm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23 (TO-236)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ@6.3A,4.5V 30mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 96mW,80mW
栅极电压Vgs ±12V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 TO-236
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.3A 4.5A
系列 HEXFET® TrenchFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 16V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 16V 735pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V 20nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 16V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6244TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
SI2374DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±8V 96mW,80mW 30mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236 N-Channel 20V 4.5A

¥0.8429 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8429
0 对比
SI2374DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±8V 96mW,80mW 30mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236 N-Channel 20V 4.5A

暂无价格 0 对比
SI2342DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) N-Channel 17 mOhms @ 7.2A,4.5V 2.5W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 8V

暂无价格 0 对比
SI2342DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) N-Channel 17 mOhms @ 7.2A,4.5V 2.5W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 8V

暂无价格 0 对比
SI2342DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) N-Channel 17 mOhms @ 7.2A,4.5V 2.5W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 8V

暂无价格 0 对比

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