IRLR3410PBF 与 SIHFR110-GE3 区别
| 型号 | IRLR3410PBF | SIHFR110-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRLR3410PBF | A3t-SIHFR110-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 79 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@10A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D-Pak | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 17A | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 800pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) 105mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHFR110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
