IRLR9343TRPBF 与 SUD19P06-60-GE3 区别
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规格信息
型号	IRLR9343TRPBF	SUD19P06-60-GE3
吃瓜编号	A-IRLR9343TRPBF	A3t-SUD19P06-60-GE3
制造商	Infineon Technologies	Vishay
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述		Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表	IRLR9343TRPBF.pdf	SUD19P06-60-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	105mΩ@3.4A,10V	60 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds	55V	60V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)	2.3W(Ta),38.5W(Tc)
Vgs(th)	-	3V @ 250uA
栅极电压Vgs	±20V	-
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	D-PAK(TO-252AA)	TO-252
工作温度	-40°C~175°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	20A	18.3A(Tc)
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 50V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	47nC @ 10V	-
Vgs(最大值)	-	±20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 50V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	47nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRLR9343TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA)	暂无价格	0	当前型号
NTD2955T4G	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)	暂无价格	0	对比
SUD19P06-60-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	12,000	对比
SUD19P06-60-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	73	对比
SUD19P06-60-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	0	对比