PMDPB55XP,115 与 DMP2160UFDBQ-7 区别
| 型号 | PMDPB55XP,115 | DMP2160UFDBQ-7 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-PMDPB55XP,115 | A-DMP2160UFDBQ-7 |
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ |
| 上升时间 | - | 12.09ns |
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | 1.4W |
| Qg-栅极电荷 | - | 6.5nC |
| 输出电容 | 80pF | - |
| 栅极电压Vgs | 12V,-0.65V | 900mV |
| 典型关闭延迟时间 | - | 55.34ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT1118 | U-DFN2030-6 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -4.5A | 3.8A |
| 系列 | - | DMP2160 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 输入电容 | 785pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 70mΩ@3.4A,4.5V | - |
| 下降时间 | - | 27.54ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 11.51ns |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 536pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 6.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 480 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
暂无价格 | 480 | 当前型号 | ||||
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AON2803 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3.8A 1.5W 70mΩ@-3.8A,-4.5V -55°C~150°C |
¥1.45
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0 | 对比 | ||||
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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UT6JA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||
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UT6JA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 22 | 对比 |