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PSMN059-150Y,115  与  SIJ494DP-T1-GE3  区别

型号 PSMN059-150Y,115 SIJ494DP-T1-GE3
吃瓜编号 A-PSMN059-150Y,115 A-SIJ494DP-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56 MOSFET N-Chan 150V PowerPAK SO-8L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23.2mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 113W 69.4W(Tc)
输出电容 208pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 LFPAK PowerPAK®SO-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 36.8A(Tc)
系列 - ThunderFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
输入电容 1529pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1070pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 7.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 59mΩ@12A,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN059-150Y,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

LFPAK N-Channel 113W -55°C~150°C ±20V 150V 43A

暂无价格 0 当前型号
SIJ494DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 36.8A(Tc) ±20V 69.4W(Tc) 23.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8

暂无价格 0 对比
SIJ494DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 36.8A(Tc) ±20V 69.4W(Tc) 23.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8

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