PSMN2R2-40PS,127 与 IRF1104PBF 区别
| 型号 | PSMN2R2-40PS,127 | IRF1104PBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-PSMN2R2-40PS,127 | A-IRF1104PBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 9mΩ@60A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 306W | 170W(Tc) |
| 输出电容 | 1671pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 100A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 8423pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 93nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2.1mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 93nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 40V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF1404PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB N-Channel 333W 4mΩ@121A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 202A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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AOT2142L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 312W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 120A |
￥13.2653
|
889 | 对比 | ||||||||||
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STP40NF03L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 70W(Tc) 22mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 30V 40A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPP015N04N G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
250W 1.5mΩ@100A,10V 40V 120A TO-220 N-Channel ±20V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF1104PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@60A,10V N-Channel 40V 100A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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