RSR025P03TL 与 FDN358P 区别
| 型号 | RSR025P03TL | FDN358P |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-RSR025P03TL | A3t-FDN358P |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 | Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) | - |
| 功率 | - | 500mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 125 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 460pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 封装/外壳 | TSMT3 | SuperSOT |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 1.5A |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 98 毫欧 @ 2.5A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 500mW(Ta) |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 5.4nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
