RTR025N03TL 与 IRLML9301TRPBF 区别
| 型号 | RTR025N03TL | IRLML9301TRPBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-RTR025N03TL | A-IRLML9301TRPBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.6 mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@2.5A,4.5V | 64mΩ@3.6A,10V |
| 上升时间 | 15 ns | - |
| 栅极电压Vgs | 12V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V |
| 封装/外壳 | TSMT | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.5A | 3.6A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 2.9 mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 10 ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 10µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 388pF @ 25V |
| 高度 | 0.85 mm | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 1.3W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns | - |
| FET类型 | N-Channel | P-Channel |
| 系列 | RTR | HEXFET® |
| 通道数量 | 1 Channel | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 2.4V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 10V | 388pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | 4.8nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.8nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23 |
暂无价格 | 3,048 | 对比 | ||||
|
|
IRLML9301TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
|
AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.6293
|
0 | 对比 | ||||
|
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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