SI2309CDS-T1-GE3 与 CPH3351-TL-H 区别
| 型号 | SI2309CDS-T1-GE3 | CPH3351-TL-H | ||
|---|---|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI2309CDS-T1-GE3 | A3t-CPH3351-TL-H | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 1.6 mm | - | ||
| 功率 | - | 1W(Ta) | ||
| 零件号别名 | SI2309CDS-GE3 | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 345mΩ | 250 毫欧 @ 1A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta),1.7W(Tc) | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 1.2A | 1.8A(Ta) | ||
| 系列 | SI | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||
| 长度 | 2.9 mm | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 30V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.1nC @ 4.5V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4V,10V | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 262pF @ 20V | ||
| 高度 | 1.45 mm | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 100 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
￥1.1582
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100 | 当前型号 | ||||
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FDN5618P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel 0.5W 230mΩ@-1A,-4.5V -55°C~150°C ±20V -60V -1.25A |
暂无价格 | 92,000 | 对比 | ||||
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CPH3351-TL-H | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDN5618PCT-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDN5618P_SB4N007 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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P6KE18C-T | LRC | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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