SI2342DS-T1-GE3 与 IRLML6244TRPBF 区别
| 型号 | SI2342DS-T1-GE3 | IRLML6244TRPBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI2342DS-T1-GE3 | A-IRLML6244TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 8 V 0.017 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 | Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17 mOhms @ 7.2A,4.5V | 21mΩ@6.3A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 8V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Tc) | 1.3W(Ta) |
| Vgs(th) | 800mV @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | 6.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 16V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.9nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 16V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.9nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2342DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 17 mOhms @ 7.2A,4.5V 2.5W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 8V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML6244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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