SI2374DS-T1-GE3 与 PMV30UN2R 区别
| 型号 | SI2374DS-T1-GE3 | PMV30UN2R | ||
|---|---|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI2374DS-T1-GE3 | A-PMV30UN2R | ||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | Si2374DS Series 20 V 0.030 Ohm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23 (TO-236) | N-Channel 20 V 32 mOhm 490 mW 6.2 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-23 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@4A,4.5V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 96mW,80mW | 0.49W | ||
| 输出电容 | - | 70pF | ||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-236 | SOT23 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 5.4A | ||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 735pF @ 15V | - | ||
| 输入电容 | - | 655pF | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - | ||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 32mΩ@4.2A,4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 78 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2374DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 96mW,80mW 30mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236 N-Channel 20V 4.5A |
￥0.8429
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0 | 当前型号 | ||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | ||||
|
NTR4501NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3(TO-236-3) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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|
FDN339AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
|
IRLML6244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
|
PMV30UN2R | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.4A |
暂无价格 | 78 | 对比 |
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