SI3585CDV-T1-GE3 与 DMG6601LVT-7 区别
| 型号 | SI3585CDV-T1-GE3 | DMG6601LVT-7 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI3585CDV-T1-GE3 | A3-DMG6601LVT-7 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N / P-Channel 20 V 0.058/0.195 O 4.8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP- | N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58 mOhms @ 2.5A,4.5V | 55mΩ,110mΩ |
| 上升时间 | - | 7.4ns,4.6ns |
| 漏源极电压Vds | 20V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W,1.3W | 1.3W |
| Qg-栅极电荷 | - | 12.3nC,13.8nC |
| Vgs(th) | 1.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 500mV,400mV |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31.2ns,18.3ns |
| FET类型 | N+P-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | TSOT-26 |
| 连续漏极电流Id | 3.9A,2.1A | 3.8A,2.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | DMG6601 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 422pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12.3nC @ 10V |
| 下降时间 | - | 15.6ns,2.2ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 1.6ns,1.7ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A,2.1A N+P-Channel 58 mOhms @ 2.5A,4.5V 1.4W,1.3W TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDC6327C | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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FDC6327C | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTGD3149CT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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