SI4435DDY-T1-GE3 与 DMG4435SSS-13 区别
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 | DMG4435SSS-13 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI4435DDY-T1-GE3 | A-DMG4435SSS-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ | 16mΩ@11A,20V |
| 上升时间 | - | 12.7ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | 2.5W |
| Qg-栅极电荷 | - | 35.4nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 44.9ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 22S |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 7.3A |
| 系列 | SI | DMG4435 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | 1614pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 35.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 5V,20V |
| 下降时间 | - | 22.8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 8.6ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 40 | 当前型号 |
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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IRF7416PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NDS8435A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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