SIHP17N80E-GE3 与 IPP60R280CFD7 区别
| 型号 | SIHP17N80E-GE3 | IPP60R280CFD7 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SIHP17N80E-GE3 | A-IPP60R280CFD7 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 290mΩ@8.5A,10V | 280mΩ |
| Ciss | - | 807.0pF |
| Coss | - | 14.0 pF |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 3.5V,4.5V |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| Special Features | - | fast recovery diode |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 |
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | 9A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| QG (typ @10V) | - | 18.0 nC |
| Ptot max | - | 52.0W |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2408pF @ 100V | - |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.78 |
| 漏源极电压Vds | 800V | 600V |
| Moisture Level | - | NA |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Qgd | - | 5.0nC |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| Mounting | - | THT |
| RthJC max | - | 2.39 K/W |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 122nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 11 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP17N80E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 15A(Tc) ±30V 208W 290mΩ@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 11 | 当前型号 |
|
IPP60R280CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 9A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SPA17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 800V 17A 290mΩ 2.1V 42W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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