SIJ494DP-T1-GE3 与 RS6R060BHTB1 区别
| 型号 | SIJ494DP-T1-GE3 | RS6R060BHTB1 | ||||
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| 吃瓜编号 | A-SIJ494DP-T1-GE3 | A-RS6R060BHTB1 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-Chan 150V PowerPAK SO-8L | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23.2mΩ@15A,10V | 21.8mΩ@60A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 69.4W(Tc) | 104W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PowerPAK®SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||
| 连续漏极电流Id | 36.8A(Tc) | 60A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 系列 | ThunderFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1070pF @ 75V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 31nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7.5V,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 95 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 36.8A(Tc) ±20V 69.4W(Tc) 23.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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PSMN059-150Y,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
LFPAK N-Channel 113W -55°C~150°C ±20V 150V 43A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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PSMN059-150Y,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
LFPAK N-Channel 113W -55°C~150°C ±20V 150V 43A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥27.3099
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1,025 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥18.9871
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95 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 90 | 对比 |
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