SIR662DP-T1-GE3 与 BSC028N06NS 区别
| 型号 | SIR662DP-T1-GE3 | BSC028N06NS |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SIR662DP-T1-GE3 | A-BSC028N06NS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15 mm | 5.15mm |
| 零件号别名 | SIR662DP-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.7mΩ | 2.8mΩ |
| 上升时间 | - | 38ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 37nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 60A | 100A |
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource |
| 长度 | 6.15 mm | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 高度 | 1.04 mm | 1.27mm |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 83W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | SIR | OptiMOS™ |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4365pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 96nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 11ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 55 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 当前型号 |
|
BSC016N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 1.6mΩ 10V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
|
NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
CSD18540Q5B | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN |
暂无价格 | 34 | 对比 |
|
CSD18540Q5BT | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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