SIRA60DP-T1-GE3 与 BSC010NE2LS 区别
| 型号 | SIRA60DP-T1-GE3 | BSC010NE2LS |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SIRA60DP-T1-GE3 | A-BSC010NE2LS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 30V N-CHAN PowerPAK SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.94mΩ@20A,10V | 1.05mΩ@30A,10V |
| 上升时间 | - | 6ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC |
| 栅极电压Vgs | +20V,-16V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 85S |
| 封装/外壳 | PowerPAK®SO-8 | PG-TDSON-8-7 |
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 4.4ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4700pF @ 12V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 57W(Tc) | 96W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 34ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7650pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 4.5V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.7ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 64nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIRA60DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 100A(Tc) +20V,-16V 57W(Tc) 0.94mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSC010NE2LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 25V 100A 1.05mΩ@30A,10V ±20V 96W N-Channel PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
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TPHR9003NL | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC009NE2LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
25V 100A 1mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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