SPA17N80C3 与 SIHP17N80E-GE3 区别
| 型号 | SPA17N80C3 | SIHP17N80E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SPA17N80C3 | A-SIHP17N80E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.85mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 290mΩ | 290mΩ@8.5A,10V |
| 上升时间 | 15ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 177nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2.1V | ±30V |
| 正向跨导 - 最小值 | 15S | - |
| 封装/外壳 | - | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 17A | 15A(Tc) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10.65mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 6ns | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 25V | 2408pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| 高度 | 16.15mm | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 42W | 208W |
| 典型关闭延迟时间 | 72ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | CoolMOSC3 | - |
| 典型接通延迟时间 | 25ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 177nC @ 10V | 122nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 11 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPA17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 800V 17A 290mΩ 2.1V 42W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHP17N80E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 15A(Tc) ±30V 208W 290mΩ@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 11 | 对比 |
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