STB13NM60N 与 SIHB12N60E-GE3 区别
| 型号 | STB13NM60N | SIHB12N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-STB13NM60N | A3t-SIHB12N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 380m Ohms@6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 147W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | - | 12A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 937pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 58nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB13NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPB65R310CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 650V 11.4A 280mΩ 20V 104.2W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
AOB11S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 11A 198W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
