STD10NM60N 与 SIHD7N60E-GE3 区别
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规格信息
型号	STD10NM60N	SIHD7N60E-GE3
吃瓜编号	A-STD10NM60N	A-SIHD7N60E-GE3
制造商	STMicroelectronics	Vishay
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	MOSFET N-CH 600V 10A DPAK	E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3
数据表	std10nm60n.pdf	SIHD7N60E-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
封装/外壳	TO-252-3	TO-252
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	10A	7A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	550mΩ@4A,10V	600 mOhms @ 3.5A,10V
漏源极电压Vds	600V	600V
Pd-功率耗散(Max)	70W	78W(Tc)
Vgs(最大值)	-	±30V
Vgs(th)	-	4V @ 250uA
栅极电压Vgs	±25V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
库存与单价
库存	0	35
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STD10NM60N	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A	暂无价格	0	当前型号
FCD620N60ZF	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA	暂无价格	0	对比
IPD80R600P7	Infineon	数据手册	功率MOSFET	600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V	暂无价格	0	对比
SIHD7N60E-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V	暂无价格	35	对比