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STP10NK60ZFP  与  SIHA12N60E-E3  区别

型号 STP10NK60ZFP SIHA12N60E-E3
吃瓜编号 A-STP10NK60ZFP A-SIHA12N60E-E3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP N-Channel 600 V 33 W 29 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@4.5A,10V 380 mOhms @ 6A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) 33W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 12A(Tc)
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 750mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 10A

暂无价格 0 当前型号
FCPF650N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F-3

暂无价格 0 对比
IPA80R750P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

750mΩ 800V 7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
SIHA12N60E-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 380 mOhms @ 6A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 50 对比

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