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SUM55P06-19L-E3  与  NTB25P06T4G  区别

型号 SUM55P06-19L-E3 NTB25P06T4G
吃瓜编号 A-SUM55P06-19L-E3 A3-NTB25P06T4G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.019 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263 表面贴装型 P 通道 60 V 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263AB TO-263-2
连续漏极电流Id 55A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19 mOhms @ 30A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),125W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM55P06-19L-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V

暂无价格 0 当前型号
IRF4905STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A TO-263

暂无价格 0 对比
AOB411L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
NTB25P06T4G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-263-2

暂无价格 800 对比
IRF4905SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 70A D2PAK

暂无价格 0 对比
NTB25P06T4G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-263-2

暂无价格 0 对比

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