BSS138W 与 2N7002K-T1-GE3 区别
| 型号 | BSS138W | 2N7002K-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-BSS138W-4 | A-2N7002K-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 50 V 3.5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-323 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.60mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2Ω |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 0.35W |
| Qg-栅极电荷 | - | 0.4nC |
| 栅极电压Vgs | - | 1V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS |
| 封装/外壳 | SOT-323-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 300mA |
| 系列 | - | 2N7002K |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 30pF @ 25V |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.6nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 高度 | - | 1.45mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 200 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS138W | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-323-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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BSS138W-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 200mA 200mW 3.5Ω 50V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSS138W-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 200mA 200mW 3.5Ω 50V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS138W H6433 | Infineon | 小信号MOSFET |
PG-SOT323-3 N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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SI1330EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 0.28W 2.5Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 N-Channel 60V 240mA(Ta) |
暂无价格 | 35 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
